| 专利名称 | 一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法 | 申请号 | CN201110310032.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102502788A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 陈运法;焦柯嘉;武晓峰 | 主分类号 | C01G15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G15/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法 至一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法，铜铟硫三元半导体纳米粒子的制备方法。将铜盐和铟盐溶于一定量水中，加入适量巯基酸，调节pH到一定范围，然后加入硫源，搅拌均匀后将所得溶液转入水热反应釜中，在一定温度进行水热反应；将得到的胶体溶液冷却到室温，通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。本发明得到的铜铟硫半导体纳米粒子分为黄铜矿相和纤锌矿相两种，其中黄铜矿颗粒为类球状，颗粒大小为10～30nm，纤锌矿相为不规则形状和六方片状结构，其中六方片状结构大小为100～200nm。 |
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