| 专利名称 | 半导体器件及半导体存储装置 | 申请号 | CN201110114256.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102768850A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及半导体存储装置 至半导体器件及半导体存储装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。 |
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