| 专利名称 | 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 | 申请号 | CN201210467084.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931230A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;彭恩超;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 至铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。本发明可以显著提高沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力，遏制缓冲层的漏电，同时降低势垒层的晶格应变，减少缺陷密度，提高器件工作的稳定性和可靠性。 |
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