| 专利名称 | 一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法 | 申请号 | CN201210299142.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931054A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明（设计）人 | 汤益丹;刘可安;申华军;白云;李博;王弋宇;刘新宇;李诚瞻;史晶晶 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法 至一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法，针对TiAl基金属化系统，该方法采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆接触，第一步退火为预退火，第二步退火为高温快速退火，其中：第一步预退火是通过预退火方式形成Al的合金体系，促进TiAl基欧姆接触金属与P型SiC的界面反应，形成界面过渡层；第二步高温快速退火是利用预退火过程中形成的界面反应催化剂，在低于常规快速退火温度下，实现Ti、Al与SiC的反应，形成低势垒、高载流子密度的碳化物或者硅化物过渡层。本发明提出的两步退火方法，可有效降低合金退火温度，也可以适用于其它半导体材料，尤其是宽禁带材料的欧姆接触领域。 |
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