| 专利名称 | 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 申请号 | CN201110263458.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983116A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲;钟汇才 | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 至半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法。根据本发明的用于含有具有背栅的晶体管的集成电路的半导体衬底，包括：半导体基底；在所述半导体基底上的第一绝缘材料层；在所述第一绝缘材料层上的第一导电材料层；在所述第一导电材料层上的第二绝缘材料层；在所述第二绝缘材料层上的第二导电材料层；在所述第二导电材料层上的绝缘埋层；以及在所述绝缘埋层上的半导体层，其中在所述第一导电材料层和第二导电材料层之间具有至少一个贯穿所述第二绝缘材料层以便连通所述第一导电材料层和第二导电材料层的第一导电通路，每一个第一导电通路的位置由要形成相应的一个第一组晶体管的区域限定。 |
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