一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

专利详情 交易流程 过户资料 平台保障
专利名称 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 申请号 CN201110221375.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102915917A 公开(授权)日 2013.02.06 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 徐秋霞;李永亮;许高博 主分类号 H01L21/28(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I 专利有效期 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 至一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO2-1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-2,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2,腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质,露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2,淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀,形成叠层栅结构,淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区,硅化后完成接触和金属化。

企业提供

企业营业执照
专利证书原件

个人提供

身份证
专利证书原件

平台提供

专利代理委托书
专利权转让协议书
办理文件副本请求书
发明人变更声明

过户后买家信息

专利证书
手续合格通知书
专利登记薄副本

1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障

求购专利

官方客服(周一至周五:08:30-17:30) 010-82648522