| 专利名称 | 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201110221375.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102915917A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李永亮;许高博 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 至一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-2，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2，腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质，露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2，淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀，形成叠层栅结构，淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区，硅化后完成接触和金属化。 |
1、源头对接，价格透明
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