| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000066.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202651118U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。 |
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