| 专利名称 | 应力隔离沟槽半导体器件 | 申请号 | CN201190000098.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202651086U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 应力隔离沟槽半导体器件 至应力隔离沟槽半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种应力隔离沟槽半导体器件，包括硅基底（10）（S11）；在硅基底上形成第一沟槽（13）和第二沟槽（14），第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直（S12）；在第一沟槽中形成第一介质层，在第二沟槽中形成第二介质层，第一介质层为张应力介质层（16）（S13）；在第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠（17），栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于第一沟槽的延伸方向，其中硅基底的晶面指数为{100}，第一沟槽沿晶向<110>延伸（S14）。提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 |
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