| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201190000065.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202651070U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；侧墙，其形成于所述栅极周围，其中，所述高k介质层具有被氮化的部分，其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域，其中所述氮化的高k介质层还存在于所述半导体衬底与所述侧墙之间。本实用新型将半导体衬底上未被其上的栅极或者侧墙覆盖的高k介质层氮化，在所述高k介质层表面形成氧扩散阻挡层，抑制了氧从水平方向扩散进入栅极下方的高k介质层中，使其不受扩散进入的氧的侵蚀，优化了半导体器件的工作性能。 |
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