| 专利名称 | 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210533291.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969244A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;夏超;王中健;曹铎;郑理;贾婷婷;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法 至一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成离子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，P型柱区离漏极区有一定距离，退火后形成间隔的P柱和N柱；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。本发明使N柱的浓度从源端到漏端逐渐增加，消除漂移区剩余电荷，由于P柱离漏极有一定的距离，因此降低了漂移区电荷不平衡对器件性能的影响，提高可靠性。 |
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