| 专利名称 | 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 | 申请号 | CN201110418323.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437087A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 至抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合；对键合后的两个晶片之一进行减薄，形成SOI结构。本发明在利用键合技术制备SOI的过程中，通过向埋氧层中注入质子、中子等引入位移损伤形成复合中心的方法来提高SOI器件的抗辐照性能，同时还避免了对顶层硅层所造成的损伤，不会影响器件的性能。 |
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