| 专利名称 | 制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法 | 申请号 | CN201010527576.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456630A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于大全;宋崇申 | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 专利有效期 | 制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法 至制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法。该方法中，微电子器件的基底上具有金属柱凸点，包括：在金属柱凸点上电镀主组分钎料层；在主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对微电子器件进行回流，促使微组分层溶入主组分钎料层，从而在金属柱凸点上形成多组分钎料层。本发明简化了制备微电子器件凸点多组分钎料层的工艺。 |
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