| 专利名称 | 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN200910201332.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104063A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;罗杰馨;伍青青;周建华;肖德元;王曦 | 主分类号 | H01L29/732(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/732(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 至一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI?BJT与SOI?CMOS的兼容性，使SOI?BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障