| 专利名称 | 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 | 申请号 | CN201210056638.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544289A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 田婷;张逸韵;耿雪妮;李璟;伊晓燕;王国宏 | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 至将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障