| 专利名称 | 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法 | 申请号 | CN201010619500.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544362A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法 至用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5 80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5 80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。 |
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