| 专利名称 | 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 | 申请号 | CN201210015129.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544042A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 曹中祥;吴南健;周杨帆;李全良;秦琦 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 专利有效期 | 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 至高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管。利用本发明，提高了感光二极管光生电荷的转移速度；同时，通过优化防穿通区和转移晶体管漏极一侧掺杂阱的位置和工艺参数，在不影响转移晶体管栅极下方沟道电荷转移的情况下，达到防止FD漏电的目的。 |
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