| 专利名称 | 正电子湮没多参数符合测量系统 | 申请号 | CN201220268349.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202870004U | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 李卓昕;王宝义;曹兴忠;张鹏;姜小盼;于润升;魏龙 | 主分类号 | G01N23/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/22(2006.01)I | 专利有效期 | 正电子湮没多参数符合测量系统 至正电子湮没多参数符合测量系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高效率的正电子湮没多参数符合测量系统，通过采用平面型高纯锗半导体探测器同时测量正电子湮没的时间停止信号和能量信号的方式，实现高效率的正电子湮没寿命-动量关联（Positron?Age?Momentum?Correlation,AMOC）符合测量。系统包括：一个闪烁体探测器、一个平面型高纯锗半导体探测器、第一恒比定时甄别器、第二恒比定时甄别器、第一信号延时箱、第二信号延时箱、定时滤波放大器、时-幅转换器、谱放大器、双通道多道分析器。通过选用合理的电子学框架及信号处理方式，实现了信号的准确和高效率处理，使系统最终计数率较常规AMOC谱仪提高一个数量级，为电子偶素的相关研究提供了更好的研究手段。 |
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