| 专利名称 | 零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构 | 申请号 | CN201220464240.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202870146U | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 王林森;武旭 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构 至零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构，包括有相同的上安装板、下安装板，所述的上安装板、下安装板的中间分别开有一个正方形孔洞作为磁芯安装孔，磁芯安装孔的尺寸略大于磁芯截面，上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台，下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑，上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳，上安装板上的挂耳与下安装板上的挂耳位置相同。本实用新型上下安装板的凹凸咬合，磁芯紧密接触，不会产生气隙，较好的解决了大电流传感器磁芯由于尺寸较大，安装过程中上下连接磁芯之间往往存在较大的气隙和位移的问题，避免了磁芯在连接处产生加大的漏磁。 |
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