| 专利名称 | 一种氟化镁钡单晶的生长方法 | 申请号 | CN201110434476.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534774A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氟化镁钡单晶的生长方法 至一种氟化镁钡单晶的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。 |
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