| 专利名称 | 镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110202663.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102329619A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张科;梁广飞;王阳;吴谊群 | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/88(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法 至镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1~0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。在980nm激光激发下，晶态样有位于1150nm附近的荧光，非晶态样无荧光，分别代表信息存储的两个状态。本发明荧光相变信息存储材料与传统相变材料的制备过程完全兼容，制备方法简单可控。本发明结合传统相变材料的优点和Ni2+在基质不同相态下荧光效应的巨大差异，可以大大增加相变光存储中两态的对比度。 |
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