| 专利名称 | 一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法 | 申请号 | CN201110375079.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427034A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法 至一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。 |
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