| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110068069.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102694053A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;陈大鹏 | 主分类号 | H01L31/112(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/112(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅电极、栅电极上的栅绝缘层、栅绝缘层上的非晶态氧化物半导体以及栅电极两侧的非晶态氧化物半导体上的源漏金属电极，基本结构为TFT型紫外探测器。其中，半导体为宽带隙(＞3.0eV)非晶态氧化物半导体，其材料成分可为掺In的ZnO系半导体，具体地，包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO，其中，[In]/([In]+[第三金属])的原子计数比为35％～80％，[Zn]/([In]+[Zn])的原子计数比为40％～85％。优选的各元素原子计数比为[In]∶[第三金属]∶[Zn]∶[O]＝1∶1∶1∶1或者1∶1∶1∶2或者2∶2∶2∶1或者1∶1∶1∶4等。此外半导体还可为非晶态下的In2O3、ZTO、ITO、ZnO、SnOx等材料。依照本发明的TFT型紫外探测器由于采用了非晶态氧化物半导体而具有高效、低成本和大面积均匀的优点。 |
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