| 专利名称 | ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法 | 申请号 | CN201010597879.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104078A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 孟祥敏;黄兴 | 主分类号 | H01L31/0336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法 至ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法，属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料，并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS纳米管。此发明操作简单，对设备和原料条件要求低，且制备出的ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料，形貌纯净，ZnS外延性好，且是单晶外延，有区别于单一ZnO和ZnS纳米材料的光电特性，在纳米光电领域中具有广泛的应用前景。? |
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