| 专利名称 | 一种碳纳米管的制备方法 | 申请号 | CN201110287073.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102321876A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘键;饶志鹏;万军;夏洋;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种碳纳米管的制备方法 至一种碳纳米管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体涉及一种碳纳米管的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；在所述硅衬底表面生长一层镍金属；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构。本发明仅通过ALD设备就能制备出碳纳米管，制备方法简单，且制备出的薄膜结构完整，适用性强。 |
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