| 专利名称 | 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 | 申请号 | CN201110346268.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102363520A | 公开（授权）日 | 2012.02.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑海洋;杨晋玲;杨富华 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 至用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法，该方法包括：制作盖片；以及将制作的盖片与器件芯片进行圆片级键合。本发明提出利用电磁力将微纳尺度的金属线导入微孔中来实现高质量可靠的三维电学连接，损耗低，寄生效应小；采用局域加热技术只对键合区域进行加热，不仅能实现高键合强度和高气密性，而且保证器件区在整个键合过程中处于较低温度，器件性能不受键合温度影响。圆片级封装保证了封装的低成本。这一方法为MEMS器件，特别是射频MEMS器件，提供了高质量的低成本三维封装方法。 |
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