| 专利名称 | 氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法 | 申请号 | CN201110258881.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102320594A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;于冰;刘畅;成会明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法 至氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁为催化剂前驱体、适量的硫粉为生长促进剂、氢气为载气、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长及原位刻蚀小直径和金属性单壁碳纳米管，最终获得半导体性单壁碳纳米管占优的样品，其含量到达90wt％，直径分布在1.4-1.8nm之间。本发明实现了较窄直径分布的半导体性单壁碳纳米管大量、直接控制生长，克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂、而直接制备技术中样品量少、直径分布较宽、且直径较小等问题。 |
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