| 专利名称 | 适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置 | 申请号 | CN201110393726.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487899A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院南海海洋研究所 | 发明（设计）人 | 黄晖;张浴阳;黄洁英;张成龙;练健生 | 主分类号 | A01K67/033(2006.01)I | IPC主分类号 | A01K67/033(2006.01)I | 专利有效期 | 适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置 至适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置。该方法包括以下步骤：将造礁石珊瑚附着装置固定在水深3～10m的高沉积海域海底，该造礁石珊瑚附着装置包括附着网片和附着网片下方支撑附着网片的支撑架，附着网片的网孔大小为3～5cm，将造礁石珊瑚固定在附着网片上，使造礁石珊瑚生长在离海底50cm以上的高度。利用本发明的适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法培植造礁石珊瑚，相比于传统的水泥块移植，可提高培植珊瑚的存活率，还可缩减一半成本，并且减少水下工作量及减低水下工作危险。 |
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