| 专利名称 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 | 申请号 | CN201110147409.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102255240A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;陈微;张建心;渠红伟;付非亚 | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 至实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。 |
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