| 专利名称 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201110234519.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254814A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司 | 发明（设计）人 | 李涛;周春兰;宋洋;郜志华;罗运强;段野;李友忠;王文静 | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 至一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。 |
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