| 专利名称 | 纳米流体通道及其制作方法 | 申请号 | CN201110233453.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102303843A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 邱克强;李小军;陈勇;王旭迪;付绍军 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米流体通道及其制作方法 至纳米流体通道及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种纳米流体通道制作方法，其中，通道模板的制作过程包括：提供通道模板用的基底，所述通道模板用的基底包括本体层和位于本体层表面上的刻蚀阻挡层，本体层的材料为单晶硅；在刻蚀阻挡层上形成模板通道图形开口；以具有模板通道图形开口的刻蚀阻挡层为掩膜，采用湿法腐蚀工艺在本体层表面内形成模板通道图形开口，剩余通道处的本体层材料，以在本体层上形成光栅结构；去除剩余的刻蚀阻挡层材料，得到所述通道模板，所述通道模板的侧壁光滑、陡直且线条均匀。本发明在通道模板的制作过程，由湿法腐蚀工艺代替了干法刻蚀工艺，使得腐蚀之后的通道模板的侧壁具有原子尺寸的光滑度，解决了现有技术中的问题且降低了生产成本。 |
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