| 专利名称 | 一种测量FET沟道温度的装置及方法 | 申请号 | CN201110223026.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102313613A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;陈晓娟;袁婷婷;罗卫军 | 主分类号 | G01K11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量FET沟道温度的装置及方法 至一种测量FET沟道温度的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。 |
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