| 专利名称 | 一种热型红外探测器 | 申请号 | CN201010228701.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102313601A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立军;陈大鹏 | 主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种热型红外探测器 至一种热型红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种热型红外探测器，包括：红外吸收元件，所述红外吸收元件包括热膨胀材料；应力改变元件，至少部分所述应力改变元件被所述红外吸收元件包围；和至少两个电极，与所述应力改变元件接触。红外吸收元件吸收红外温度升高而产生热膨胀，从而挤压与红外吸收元件相连的应力改变元件，使该应力改变元件内部产生应力，进而使其载流子迁移率发生变化，即电阻率发生变化，通过电阻率的变化表征应力改变元件的应力变化，最终表征被吸收的红外辐射功率。本发明的优点在于，所述器件的制造完全基于大规模集成电路的硅平面工艺，具有低成本高产出的特点。 |
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