| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010223858.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315267A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；第二栅极，所述第二栅极位于所述绝缘层上并至少部分嵌入所述半导体基体中。一种半导体器件的形成方法，包括：在绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底内形成空腔，所述空腔暴露所述绝缘层；形成第二栅极，至少部分所述第二栅极填充所述空腔。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。 |
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