| 专利名称 | 半导体材料鳍片 | 申请号 | CN200910242769.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104058A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体材料鳍片 至半导体材料鳍片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体材料鳍片，其特征在于鳍片的侧壁偏离硅衬底的{111}晶面的角度小于或等于12度。该半导体材料鳍片可用于形成FinFET。 |
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