| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN200910242800.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104042A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;韩锴;王晓磊;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件，具体来说，涉及一种界面优化的高k栅介质CMOS器件。在NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底上采用不同厚度或不同材料的界面层，不仅有效的减小了器件的EOT，尤其是PMOS器件的EOT，而且还提高了器件的电子迁移率，尤其是NMOS器件的电子迁移率，从而有效提高了器件的整体性能。 |
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