| 专利名称 | 一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法 | 申请号 | CN200910242770.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104002A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宋毅;徐秋霞;周华杰 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法 至一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO2氧化层/SiN/氧化物介质层)，电子束曝光，刻蚀凹槽和fin，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，干氧氧化，刻蚀去除fin两侧侧墙同时保留凹槽底部侧墙，三步牺牲氧化形成纳米线，湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离，长栅介质和垫积栅材料，反刻栅后进行两步源漏注入，垫积和刻蚀侧墙，形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应，具有更低的成本，完全采用传统自顶向下工艺实现了与CMOS工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往更小方向发展。 |
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