| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010215165.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299092A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成至少一个栅堆叠结构和夹于各所述栅堆叠结构之间的层间材料层；确定隔离区区域并去除位于所述区域内的所述层间材料层和部分高度的所述半导体衬底，以形成凹槽；去除位于所述区域内承载所述栅堆叠结构的所述半导体衬底；以绝缘材料填充所述凹槽。还提供了一种半导体器件。可减小隔离区的面积。 |
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