| 专利名称 | 硅片去胶装置及方法 | 申请号 | CN201010209822.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102298276A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 专利有效期 | 硅片去胶装置及方法 至硅片去胶装置及方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅片去胶装置，包括去离子水储罐、CO2储气罐、混合罐、对混合溶液加热的热交换器及用于对硅片去胶的反应腔体；去离子水储罐与CO2储气罐的出口与混合罐一端连接，混合罐另一端通过热交换器与反应腔体入口连接。还公开了一种硅片去胶方法包括：形成液态CO2和去离子水的混合溶液；对混合溶液加热，使混合溶液中的CO2达到超临界态，使去离子水达到高温高压状态；及使用含超临界态的CO2和高温高压的去离子水的混合溶液对硅片进行去胶处理。通过本发明提供的装置及方法，可以将无机碳化厚层和底部有机光刻胶全部氧化溶解，去胶效率较高，无残留物，薄膜材料的损失最小化。 |
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