| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010215854.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299061A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王文武;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时，阻止吸氧金属扩散进入功函数层和/或栅介质层，从而在不影响器件的阈值电压的前提下减少等效氧化层的厚度。 |
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