一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器

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专利名称 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器 申请号 CN201120069711.6 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN202054924U 公开(授权)日 2011.11.30 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 王仍;李向阳;林杏潮;张莉萍;张可峰;焦翠灵;陆液;邵秀华;陆荣 主分类号 C30B25/08(2006.01)I IPC主分类号 C30B25/08(2006.01)I 专利有效期 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器 至一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器 法律状态 授权 说明书摘要 本实用新型公开了一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器,该容器由用99.99999%的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子,石英盒为圆柱体杯状结构,石英盒的底部放置晶体生长源材料,石英环放置在源材料的上方,晶体生长用衬底放置在石英环上,如果有多片衬底,则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中,石英塞将石英盒口塞住密闭。这种容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题,从而提高材料的均匀性和外延面积,同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。

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