| 专利名称 | 一种功率半导体器件结电容测试装置 | 申请号 | CN201120221050.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202141762U | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陆江;朱阳军;苏江 | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种功率半导体器件结电容测试装置 至一种功率半导体器件结电容测试装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型实施例公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，结电容测试电路板包括：两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；反馈电容测试点接地；输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；与电源连接点相连的高电压电流连接点和与栅极测试点相连的低电压电流连接点。本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，简化了测试工作，提高了测试效率。 |
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