| 专利名称 | 一种逐层减薄石墨烯的方法 | 申请号 | CN201110191536.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102344132A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨喜超;谢晓明;江绵恒;丁古巧 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种逐层减薄石墨烯的方法 至一种逐层减薄石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技术对石墨烯改性和石墨烯各向异性的氧化过程相结合，对多层石墨烯进行精确刻蚀，能够实现单原子层精度减薄多层石墨烯，并且保留了减薄后石墨烯的优良性能。其应用领域包括制备石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件等。 |
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