| 专利名称 | 一种石墨的制备方法 | 申请号 | CN201110287045.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102344134A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;万军;刘键;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨的制备方法 至一种石墨的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种石墨的制备方法。所述制备方法，具体包括：步骤（1），将掺杂衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；步骤（2），向所述原子层沉积设备反应腔中通入含碳前驱体，通过等离子体放电，所述含碳前驱体电离出的含碳原子的基团吸附在所述掺杂衬底上；步骤（3），向所述原子层沉积设备反应腔中通入氢气，通过等离子体放电，所述氢气电离出的氢原子取代与所述碳原子相连的官能团，或者所述氢气电离出的氢原子直接和碳原子相连；步骤（4），重复步骤（2）和步骤（3）即可逐层的生长石墨结构。本发明能够通过ALD设备制备出石墨晶体，方法简单，容易制备，且制备出的石墨薄膜结构完整，均一性好。 |
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