| 专利名称 | 一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法 | 申请号 | CN201110187773.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102344131A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴渊文;于广辉;师小萍;王彬;张燕辉;陈志蓥 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法 至一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。 |
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