| 专利名称 | 具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构 | 申请号 | CN201010235059.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339833A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构 至具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构，该结构包括选择晶体管和存储器晶体管，且该选择晶体管和该存储器晶体管共用衬底区域和源漏掺杂区，同时存储器晶体管具有堆栈结构，信息存储在栅极区域下面的电荷存储层中。本发明采用应力硅/锗硅的双层或者多层衬底，综合利用了应力硅沟道所带来的一次碰撞电离的高碰撞电离率和SixGe1-x层的引入所带来的高碰撞电离率以及由此产生的电子横向的较宽分布，将有力提高分裂栅结构的编程效率，降低编程电压，提高器件的数据保持特性，利于器件的高可靠运作。本发明的电荷俘获型分裂栅存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。 |
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