| 专利名称 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010233546.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339753A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法 至一种隧穿晶体管结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法，在后栅集成工艺中，在栅极的高度方向上形成垂直结构的隧穿晶体管，其相反类型的掺杂区无需额外掩膜就可形成，而且完全集成于后栅工艺中，此外，由于伪栅极的高度决定晶体管的沟道长度，相比较由刻蚀工艺确定的沟道长度，本发明方法形成的沟道长度易得到更好的控制。 |
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