| 专利名称 | 一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器 | 申请号 | CN201110160543.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339951A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 饶峰;宋志棠;夏梦姣 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器 至一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40 x 98，或三元材料MySbxTe100-x，40 x 98，1 y 40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。 |
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