| 专利名称 | 一种SON结构MOSFET的制备方法 | 申请号 | CN201010234200.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339754A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 黄晓橹;陈静;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SON结构MOSFET的制备方法 至一种SON结构MOSFET的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SON结构MOSFET的制备方法，通过在体硅衬底上生长缓冲层，然后利用栅区光刻版，采用与栅区光刻工艺所用光刻胶极性相反的光刻胶进行光刻，使有源区上用于形成栅区的位置露出，再进行氢氦离子注入，去除光刻胶后经退火在栅区位置下面的有源区内形成空洞层；最后去除缓冲层，进行标准的CMOS工艺。该方法实现了仅仅在MOS沟道下面具有空洞层的SON结构MOSFET，且并不影响源漏区工艺；使用标准CMOS工艺现有的栅区光刻版进行氢氦注入窗口的定义，不必制备额外的光刻版，并且实现了空洞层和栅区位置的准自对准。 |
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