| 专利名称 | 巯基-β-环糊精修饰的银纳米棒阵列及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201110121900.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102776536A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 黄竹林;孟国文;黄青;李祥东;朱储红 | 主分类号 | C25D3/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D3/46(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 巯基-β-环糊精修饰的银纳米棒阵列及其制备方法和用途 至巯基-β-环糊精修饰的银纳米棒阵列及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种巯基-β-环糊精修饰的银纳米棒阵列及其制备方法和用途。阵列为表面修饰有巯基-β-环糊精的银纳米棒阵列，其中的银纳米棒的棒长为150～600nm、棒直径为60～90nm、棒间距为10～40nm，阵列的基底由厚度为20～50μm的银膜、金膜、铜膜、镍膜中的一种或两种以上叠加构成；方法为先使用二次阳极氧化法获得通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于其一面溅射金属导电膜，得到一面带有金属导电膜的氧化铝模板，接着，先将其置于银电解液中进行电沉积，得到孔中置有银纳米棒、一面覆有金属导电膜的氧化铝模板，再将其置于酸或强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板后，置于巯基-β-环糊精水溶液中浸泡至少1h，制得目标产物。它可用于快速检测痕量PCB77或PCB101。 |
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