| 专利名称 | 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201010534588.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064242A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 黄亚军;樊中朝;刘志强;伊晓燕;季安;王军喜 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 专利有效期 | 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 至高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。 |
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